高标准、精细化、响应快
碳化硅是一种宽禁带半导体材料,有高硬度、高导热、强化学稳定性等特点,可用于高频、高压、高温MEMS器件制造。
氮化镓是宽禁带半导体材料,具高频、高功率等特性,用于制造高性能传感器、射频器件等。
MEMS中的铌酸锂是一种具有优异压电、电光、声光等特性的功能材料,常用于制造滤波器、传感器、调制器等关键器件。
MEMS中的陶瓷片通常由特定陶瓷材料制成,具有良好的机械性能、电气性能和热稳定性,可用于传感器、执行器等多种MEMS器件。