高标准、精细化、响应快
离子注入工艺是通过电场加速杂质离子,精确注入半导体衬底,形成特定导电区域(如 PN 结、源漏区),具有高精度、低温、可控性强等特点,广泛用于半导体器件制造。
离子注入:B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si等
高温氧化/高温扩散/退火/快速退火