刻蚀

刻蚀工艺是通过化学或物理方法在衬底表面精确去除材料，形成电路图形的关键技术。主要分为湿法（溶液腐蚀）和干法（等离子体刻蚀），后者具有高分辨率、可控性强等优势，广泛应用于纳米级制程中高深宽比结构的加工。

类别	描述
湿法刻蚀	● 酸性化药：HF，BOE，HCI，HNO3等 ● 碱性化药：KOH，TMAH
干法刻蚀	● 离子束刻蚀（IBE）：金属类刻蚀或其他物质 ● 深硅刻蚀（DRIE）：刻蚀均匀性<±5%，选择比＞10：1
	● 反应离子刻蚀（RIE）：刻蚀Si，SiO₂，SiNx，PI（聚酰亚胺）材料等
	● 电感耦合（ICP）等离子刻蚀：刻蚀III-V族材料，如GaN，GaAs，InP等