光刻

光刻工艺是通过光刻胶感光特性,利用光刻机将掩膜版图案曝光显影至硅片表面,实现电路图形化转移的核心技术,用于构建微纳米级器件结构。


类别描述
接触式光刻

最小图形尺寸:1.5μm,套刻精度:±500nm

样品尺寸:8inch及以下、不规则 小片

电子束光刻

最小图形尺寸:5nm,套刻精度:10nm,电压10-20kV

样品尺寸:8inch及以下、不规则小片

步进式光刻

投影比例1:5,最小图形尺寸:300nm,套刻精度≤100nm(X,Y),曝光范围<20*20mm

样品尺寸:12inch及以下