1.HRTEM 线分辨率:≤0.10nm;
2.STEM 分辨率:<0.16nm(X-FEG),<0.14nm;100pA(X-CFEG);
3.Super-X EDS系统:4SDD 对称设计、无窗、遮光板保护;
4.电子能量损失光谱(EELS) 能量分辨率:0.8eV(X-FEG),<0.3eV(X-CFEG);
5.200kV下的枪亮度:1.8X10A/cm2srad(X-FEG)2.4X109A/cm2srad(X-CFEG)。
1.HRTEM 线分辨率:≤0.10nm;
2.STEM 分辨率:<0.16nm(X-FEG),<0.14nm;100pA(X-CFEG);
3.Super-X EDS系统:4SDD 对称设计、无窗、遮光板保护;
4.电子能量损失光谱(EELS) 能量分辨率:0.8eV(X-FEG),<0.3eV(X-CFEG);
5.200kV下的枪亮度:1.8X10A/cm2srad(X-FEG)2.4X109A/cm2srad(X-CFEG)。